Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXS1150N10M

BXS1150N10M
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
2.6 A
Pulsed drain current
15.6 A
Рассеиваемая мощность
2.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 952 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%89,66 ₽

Сумма · с НДС 22%89,66 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 189,66 ₽
от 1044,83 ₽
от 2531,42 ₽
от 10022,42 ₽
от 25011,23 ₽
от 5008,48 ₽
от 10007,50 ₽
от 30006,72 ₽
от 120005,83 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBXS1150N10M
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current2.6 A
Pulsed drain current15.6 A
Рассеиваемая мощность2.5 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.15 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; Idm: 15.6A; 2.5W

Документация

Документ производителяДокумент производителя