Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXS049N08P

BXS049N08P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
85 V
Drain current
79 A
Pulsed drain current
560 A
Рассеиваемая мощность
189 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 520 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%257,41 ₽

Сумма · с НДС 22%257,41 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1257,41 ₽
от 10180,37 ₽
от 25144,15 ₽
от 100128,89 ₽
от 250108,11 ₽
от 50097,27 ₽
от 100086,05 ₽
от 300077,22 ₽
от 1200072,08 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBXS049N08P
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage85 V
Drain current79 A
Pulsed drain current560 A
Рассеиваемая мощность189 W
КорпусTO220
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.9 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge72nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 85V; 79A; Idm: 560A; 189W; TO220

Документация

Документ производителя