Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXP8N50P

BXP8N50P
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500V
Drain current
8A
Pulsed drain current
32A
Power dissipation
105W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXP8N50P
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500V
Drain current8A
Pulsed drain current32A
Power dissipation105W
КорпусTO220
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.9Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge25nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 105W; TO220

Документация

Документы пока не предоставлены.