Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXP8N50D

BXP8N50D
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
5.3 A
Pulsed drain current
32 A
Power dissipation
100 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBXP8N50D
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current5.3 A
Pulsed drain current32 A
Power dissipation100 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.9 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 32A; 100W; TO252

Документация

Документ производителя