Антава

BRIDGELUX

Транзистор BXC65R650D

BXC65R650D
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650 V
Drain current
7 A
Pulsed drain current
21 A
Power dissipation
63 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBXC65R650D
ПроизводительBRIDGELUX
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650 V
Drain current7 A
Pulsed drain current21 A
Power dissipation63 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.65 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.3nC
Kind of packagereel, tube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 21A; 63W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.