BRIDGELUX
Транзистор BXC65R650D
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 650 V
- Drain current
- 7 A
- Pulsed drain current
- 21 A
- Power dissipation
- 63 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | BXC65R650D |
|---|---|
| Производитель | BRIDGELUX |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 650 V |
| Drain current | 7 A |
| Pulsed drain current | 21 A |
| Power dissipation | 63 W |
| Корпус | TO252 |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| On-state resistance | 0.65 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 13.3nC |
| Kind of package | reel, tube |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 21A; 63W; TO252
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.