Антава

ONSEMI

Транзистор BVSS123LT1G

BVSS123LT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
0.17 A
Рассеиваемая мощность
0.225 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 365 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%80,61 ₽

Сумма · с НДС 22%80,61 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 180,61 ₽
от 558,99 ₽
от 1049,28 ₽
от 3036,27 ₽
от 10026,75 ₽
от 50019,42 ₽
от 100017,77 ₽
от 300015,94 ₽
от 600015,57 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBVSS123LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current0.17 A
Рассеиваемая мощность0.225 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.225W; SOT23

Документация

Документ производителя