ROHM SEMICONDUCTOR

Микросхема BV1LD080EFJ-CE2

Фото уточняется

Тип микросхемы: power switch
Назначение: low-side
Kind of output: N-Channel
Монтаж: SMD — поверхностный
Корпус: HTSOP-J8
On-state resistance: 80mΩ

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	BV1LD080EFJ-CE2
Производитель	ROHM SEMICONDUCTOR
Тип микросхемы	power switch
Назначение	low-side
Kind of output	N-Channel
Монтаж	SMD — поверхностный
Корпус	HTSOP-J8
On-state resistance	80mΩ
Active logical level	low
Рабочая температура	-40...150°C
Turn-on time	96µs
Turn-off time	120µs

Исходное описание поставщика

IC: power switch; low-side; N-Channel; SMD; HTSOP-J8; -40÷150°C

Документация

Документы пока не предоставлены.