NEXPERIA

Транзистор BUK9Y8R7-60E,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 86 A
Pulsed drain current: 346 A
Power dissipation: 147 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y8R7-60E,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	86 A
Pulsed drain current	346 A
Power dissipation	147 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	7.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	31nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 86A; Idm: 346A; 147W

Документация

Документы пока не предоставлены.