NEXPERIA

Транзистор BUK9Y72-80E,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 10.7 A
Pulsed drain current: 61 A
Power dissipation: 45 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y72-80E,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	10.7 A
Pulsed drain current	61 A
Power dissipation	45 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	196 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	7.9nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 10.7A; Idm: 61A; 45W

Документация

Документы пока не предоставлены.