NEXPERIA

Транзистор BUK9Y4R8-60E,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 593 A
Power dissipation: 238 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y4R8-60E,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	593 A
Power dissipation	238 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	10.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	54.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W

Документация

Документы пока не предоставлены.