NEXPERIA

Транзистор BUK9Y3R5-40E,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40 V
Drain current: 100 A
Pulsed drain current: 591 A
Рассеиваемая мощность: 167 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y3R5-40E,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	40 V
Drain current	100 A
Pulsed drain current	591 A
Рассеиваемая мощность	167 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	7.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	30.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 591A; 167W

Документация

Документы пока не предоставлены.