Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9Y2R8-40HX

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
600 A
Рассеиваемая мощность
172 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBUK9Y2R8-40HX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Pulsed drain current600 A
Рассеиваемая мощность172 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
On-state resistance8.6 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge62nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 600A; 172W

Документация

Документы пока не предоставлены.