NEXPERIA
Транзистор BUK9Y19-55B,115
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 55 V
- Drain current
- 46 A
- Pulsed drain current
- 184 A
- Рассеиваемая мощность
- 85 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 1 550 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%206,22 ₽
Сумма · с НДС 22%206,22 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 206,22 ₽ | |
| от 10 | 143,99 ₽ | |
| от 25 | 129,65 ₽ | |
| от 100 | 119,97 ₽ | |
| от 250 | 114,59 ₽ | |
| от 500 | 102,93 ₽ | |
| от 1000 | 95,94 ₽ | |
| от 1500 | 92,71 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BUK9Y19-55B,115 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 55 V |
| Drain current | 46 A |
| Pulsed drain current | 184 A |
| Рассеиваемая мощность | 85 W |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Gate-source voltage | ±15 V |
| On-state resistance | 17.3 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 18nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; Idm: 184A; 85W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.