NEXPERIA

Транзистор BUK9Y19-100E,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 56 A
Pulsed drain current: 226 A
Power dissipation: 167 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y19-100E,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	56 A
Pulsed drain current	226 A
Power dissipation	167 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
On-state resistance	18 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	39nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; Idm: 226A; 167W

Документация

Документы пока не предоставлены.