Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9Y153-100E,115

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
9.4 A
Pulsed drain current
38 A
Power dissipation
37 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBUK9Y153-100E,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current9.4 A
Pulsed drain current38 A
Power dissipation37 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance146 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.4A; Idm: 38A; 37W

Документация

Документы пока не предоставлены.