NEXPERIA

Транзистор BUK9Y15-100E,115

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 49 A
Pulsed drain current: 274 A
Power dissipation: 195 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y15-100E,115
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	49 A
Pulsed drain current	274 A
Power dissipation	195 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	41.4 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	45.8nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 49A; Idm: 274A; 195W

Документация

Документы пока не предоставлены.