NEXPERIA

Транзистор BUK9Y11-80EX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 59.3 A
Pulsed drain current: 336 A
Power dissipation: 194 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9Y11-80EX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	59.3 A
Pulsed drain current	336 A
Power dissipation	194 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	27.6 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	44.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 59.3A; Idm: 336A; 194W

Документация

Документы пока не предоставлены.