Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9Y104-100B,115

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
10.48A
Pulsed drain current
59A
Power dissipation
59W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBUK9Y104-100B,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current10.48A
Pulsed drain current59A
Power dissipation59W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±15V
On-state resistance0.27Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10.48A; Idm: 59A; 59W

Документация

Документы пока не предоставлены.