Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9Y09-40B,115

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
53 A
Pulsed drain current
300 A
Power dissipation
105.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBUK9Y09-40B,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current53 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation105.3 W
КорпусLFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage±15 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge30nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 53A; Idm: 300A; 105.3W

Документация

Документы пока не предоставлены.