Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9M9R1-40EX

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
45.5 A
Pulsed drain current
258 A
Power dissipation
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBUK9M9R1-40EX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current45.5 A
Pulsed drain current258 A
Power dissipation75 W
КорпусLFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance18.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45.5A; Idm: 258A; 75W

Документация

Документы пока не предоставлены.