Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9M8R5-40HX

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
40 A
Pulsed drain current
239 A
Power dissipation
59 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBUK9M8R5-40HX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current40 A
Pulsed drain current239 A
Power dissipation59 W
КорпусLFPAK33, SOT1210
On-state resistance21.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge28nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 239A; 59W

Документация

Документы пока не предоставлены.