NEXPERIA

Транзистор BUK9M35-80EX

LFPAK33, SOT1210Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 19 A
Pulsed drain current: 106 A
Power dissipation: 62 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9M35-80EX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	19 A
Pulsed drain current	106 A
Power dissipation	62 W
Корпус	LFPAK33, SOT1210
On-state resistance	88 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13.5nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 19A; Idm: 106A; 62W

Документация

Документы пока не предоставлены.