Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9M23-80EX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
26 A
Pulsed drain current
148 A
Power dissipation
79 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBUK9M23-80EX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current26 A
Pulsed drain current148 A
Power dissipation79 W
КорпусLFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance58 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 26A; Idm: 148A; 79W

Документация

Документы пока не предоставлены.