Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9M120-100EX

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
8.1A
Pulsed drain current
46A
Power dissipation
44W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBUK9M120-100EX
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current8.1A
Pulsed drain current46A
Power dissipation44W
КорпусLFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage±10V
On-state resistance0.34Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.1A; Idm: 46A; 44W

Документация

Документы пока не предоставлены.