NEXPERIA

Транзистор BUK9M10-30EX

LFPAK33, SOT1210Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30 V
Drain current: 38 A
Pulsed drain current: 216 A
Power dissipation: 55 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK9M10-30EX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	30 V
Drain current	38 A
Pulsed drain current	216 A
Power dissipation	55 W
Корпус	LFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage	±10 V
On-state resistance	18.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	12.2nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 216A; 55W

Документация

Документы пока не предоставлены.