Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9K29-100E,115

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
118 A
Power dissipation
68 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBUK9K29-100E,115
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current21 A
Pulsed drain current118 A
Power dissipation68 W
КорпусLFPAK33, SOT1210
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance80 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge54nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 21A; Idm: 118A; 68W

Документация

Документы пока не предоставлены.