Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK969R0-60E,118

BUK969R0-60E,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
59 A
Pulsed drain current
333 A
Рассеиваемая мощность
137 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBUK969R0-60E,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current59 A
Pulsed drain current333 A
Рассеиваемая мощность137 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance19.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge29.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 333A; 137W

Документация

Документы пока не предоставлены.