Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK964R2-80E,118

BUK964R2-80E,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
732 A
Рассеиваемая мощность
349 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBUK964R2-80E,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current120 A
Pulsed drain current732 A
Рассеиваемая мощность349 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±10 V
On-state resistance10.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge123nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 732A; 349W

Документация

Документы пока не предоставлены.