Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK9611-80E,118

BUK9611-80E,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
75 A
Pulsed drain current
327 A
Power dissipation
182 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBUK9611-80E,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current75 A
Pulsed drain current327 A
Power dissipation182 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±18 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge48.8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; Idm: 327A; 182W

Документация

Документы пока не предоставлены.