NEXPERIA

Транзистор BUK7Y9R9-80EX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 63 A
Pulsed drain current: 354 A
Рассеиваемая мощность: 195 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK7Y9R9-80EX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	63 A
Pulsed drain current	354 A
Рассеиваемая мощность	195 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	24.9 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	51.6nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63A; Idm: 354A; 195W

Документация

Документы пока не предоставлены.