Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK7S1R0-40HJ

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
325 A
Pulsed drain current
1659 A
Рассеиваемая мощность
375 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBUK7S1R0-40HJ
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current325 A
Pulsed drain current1659 A
Рассеиваемая мощность375 W
КорпусLFPAK88, SOT1235
On-state resistance2.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge137nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 325A; Idm: 1659A; 375W

Документация

Документы пока не предоставлены.