NEXPERIA
Транзистор BUK7E3R5-60E,127
I2PAK, SOT226Изображение корпуса
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 120 A
- Pulsed drain current
- 785 A
- Рассеиваемая мощность
- 293 W
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | BUK7E3R5-60E,127 |
|---|---|
| Производитель | NEXPERIA |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 120 A |
| Pulsed drain current | 785 A |
| Рассеиваемая мощность | 293 W |
| Корпус | I2PAK, SOT226 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 7.6 mΩ |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 114nC |
| Kind of package | tube |
| Kind of channel | enhancement |
| Application | automotive industry |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 785A; 293W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.