Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK763R1-60E,118

BUK763R1-60E,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
834 A
Рассеиваемая мощность
293 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBUK763R1-60E,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current120 A
Pulsed drain current834 A
Рассеиваемая мощность293 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge114nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 834A; 293W

Документация

Документы пока не предоставлены.