Антава

NEXPERIA

Транзистор BUK761R6-40E,118

BUK761R6-40E,118
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
120 A
Pulsed drain current
1355 A
Power dissipation
349 W

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBUK761R6-40E,118
ПроизводительNEXPERIA
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current120 A
Pulsed drain current1355 A
Power dissipation349 W
КорпусD2PAK, SOT404
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge145nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 1355A; 349W

Документация

Документы пока не предоставлены.