NEXPERIA

Транзистор BUK6Y19-30PX

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -32 A
Pulsed drain current: -181 A
Power dissipation: 66 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	BUK6Y19-30PX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-32 A
Pulsed drain current	-181 A
Power dissipation	66 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	50 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	35nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -32A; Idm: -181A; 66W

Документация

Документы пока не предоставлены.