NEXPERIA

Транзистор BUK6Y10-30PX

LFPAK56, PowerSO8, SOT669Изображение корпуса

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30 V
Drain current: -57 A
Pulsed drain current: -320 A
Power dissipation: 110 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	BUK6Y10-30PX
Производитель	NEXPERIA
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30 V
Drain current	-57 A
Pulsed drain current	-320 A
Power dissipation	110 W
Корпус	LFPAK56, PowerSO8, SOT669
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	25 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	64nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement
Application	automotive industry

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -57A; Idm: -320A; 110W

Документация

Документы пока не предоставлены.