INFINEON
Транзистор BSZ440N10NS3GATMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™ 3
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 100 V
- Drain current
- 18 A
- Рассеиваемая мощность
- 29 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 43 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%248,67 ₽
Сумма · с НДС 22%248,67 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 248,67 ₽ | |
| от 10 | 153,71 ₽ | |
| от 100 | 106,14 ₽ | |
| от 500 | 100,37 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | BSZ440N10NS3GATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ 3 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 100 V |
| Drain current | 18 A |
| Рассеиваемая мощность | 29 W |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 44 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.