Антава

INFINEON

Транзистор BSZ440N10NS3 G

Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Drain-source voltage
100 V
Pulsed drain current
72 A
Рассеиваемая мощность
29 W
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ440N10NS3 G
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Drain-source voltage100 V
Pulsed drain current72 A
Рассеиваемая мощность29 W
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9.1nC
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 100V; 72A; 29W; automotive industry

Документация

Документы пока не предоставлены.