Антава

INFINEON

Транзистор BSZ180P03NS3GATMA1

BSZ180P03NS3GATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-39.6 A
Рассеиваемая мощность
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 4 390 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%93,85 ₽

Сумма · с НДС 22%93,85 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 193,85 ₽
от 1057,57 ₽
от 5043,68 ₽
от 10039,17 ₽
от 25034,11 ₽
от 50030,86 ₽
от 100027,98 ₽
от 125027,07 ₽
от 500025,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSZ180P03NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-39.6 A
Рассеиваемая мощность40 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance40 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя