Антава

INFINEON

Транзистор BSZ180P03NS3EGATMA1

BSZ180P03NS3EGATMA1
Type of transistor
P-MOSFET
Технология
OptiMOS™ P3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-30 V
Drain current
-39.6 A
Рассеиваемая мощность
40 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ180P03NS3EGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorP-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ P3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-30 V
Drain current-39.6 A
Рассеиваемая мощность40 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39.6A; 40W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя