Антава

INFINEON

Транзистор BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
250 V
Drain current
10.9 A
Рассеиваемая мощность
62.5 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ16DN25NS3GATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage250 V
Drain current10.9 A
Рассеиваемая мощность62.5 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.165 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 10.9A; 62.5W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя