Антава

INFINEON

Транзистор BSZ105N04NSGATMA1

BSZ105N04NSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
29 A
Рассеиваемая мощность
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ105N04NSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current29 A
Рассеиваемая мощность35 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 29A; 35W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя