Антава

INFINEON

Транзистор BSZ100N03MSGATMA1

BSZ100N03MSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
39 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяBSZ100N03MSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current39 A
Power dissipation30 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance10 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; 30W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя