Антава

INFINEON

Транзистор BSZ099N06LS5ATMA1

BSZ099N06LS5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
29 A
Рассеиваемая мощность
36 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ099N06LS5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current29 A
Рассеиваемая мощность36 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.9nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; 36W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя