Антава

INFINEON

Транзистор BSZ097N10NS5ATMA1

BSZ097N10NS5ATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 5
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ097N10NS5ATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 5
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность69 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя