Антава

INFINEON

Транзистор BSZ097N04LSGATMA1

BSZ097N04LSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 673 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%242,70 ₽

Сумма · с НДС 22%242,70 ₽

Проверяем актуальные условия

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1242,70 ₽
от 10163,09 ₽
от 50117,68 ₽
от 100101,86 ₽
от 12597,27 ₽
от 25084,03 ₽
от 50073,73 ₽
от 100070,97 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSZ097N04LSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность35 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance9.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя