Антава

INFINEON

Транзистор BSZ0909NSATMA1

BSZ0909NSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
34 V
Drain current
32 A
Power dissipation
25 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ0909NSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage34 V
Drain current32 A
Power dissipation25 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance12 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 32A; 25W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя