Антава

INFINEON

Транзистор BSZ0901NSATMA1

BSZ0901NSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяBSZ0901NSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя