Антава

INFINEON

Транзистор BSZ068N06NSATMA1

BSZ068N06NSATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
46 W

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяBSZ068N06NSATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность46 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance6.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя