INFINEON
Транзистор BSZ068N06NSATMA1
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Технология
- OptiMOS™
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 40 A
- Рассеиваемая мощность
- 46 W
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | BSZ068N06NSATMA1 |
|---|---|
| Производитель | INFINEON |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Технология | OptiMOS™ |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 40 A |
| Рассеиваемая мощность | 46 W |
| Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 6.8 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; 46W; PG-TSDSON-8
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.