Антава

INFINEON

Транзистор BSZ040N04LSGATMA1

BSZ040N04LSGATMA1
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
OptiMOS™ 3
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
40 A
Рассеиваемая мощность
69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 5 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%263,51 ₽

Сумма · с НДС 22%263,51 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1263,51 ₽
от 10169,48 ₽
от 40133,38 ₽
от 50128,33 ₽
от 100114,07 ₽
от 200104,14 ₽
от 50099,81 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяBSZ040N04LSGATMA1
ПроизводительINFINEON
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияOptiMOS™ 3
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current40 A
Рассеиваемая мощность69 W
КорпусPG-TSDSON-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8

Документация

Документ производителя